Проверка исправности электронных ламп и полупроводниковых приборов

Выход из строя электронных ламп, полупроводниковых диодов и транзисторов является частой причиной неисправностей радиоприемников.

Лампы выходят из строя из-за постепенного ухудшения параметров (старения). Внезапный выход ламп из. с троя связан с обрывом или перегоранием нити накала, коротким замыканием между электродами, пробоем изоляции между катодом и подогревателем, а также нарушением вакуума. Вакуум (в лампах со стеклянным баллоном) нарушается из-за трещин, которые могут появиться; когда лампу вставляют или вынимают из панели.

Некоторые дефекты у ламп со стеклянными баллонами можно обнаружить и при внешнем осмотре, например: отсутствие свечения нити накала, появление налета молочного цвета на баллоне и др. При наличии в лампе газа, вызывающего увеличение анодного тока, приемник не работает или работает с сильными искажениями. У лапмы со стеклянным баллоном газ можно обнаружить по голубому свечению около анода. Такой дефект чаще всего встречается у оконечных ламп и кенотронов. Обрыв нити накала или полная потеря эмиссии у ламп с металлическими баллонами обнаруживается по отсутствию выделения тепла. Обычно баллон лампы нагревается через 3...4 мин после включения.

Проверку степени годности ламп можно производить на испытательном приборе типа Л1-3. При этом определяется не только степень годности ламп, но и степень ухудшения ее параметров. Однако испытатель ламп позволяет лишь ориентировочно установить оценку годности некоторых типов ламп. Например, многие лампы (гептоды и пентоды) можно проверить только в нормальных эксплуатационных условиях.

Для проверки ламп можно рекомендовать использование исправного приемника, в схеме которого есть такая же лампа, или контрольной лампы этого типа, исправность которой не вызывает сомнений. Целость нити накала и наличие короткого замыкания между электродами можно проверить с. помощью омметра. Неисправные лампы к дальнейшему использованию обычно не пригодны и их заменяют
исправными.

При замене ламп нужно соблюдать осторожность. Необходимо взять, лампу за цоколь, найти ключ на направляющем штыре, отыскать направление гнезда в ламповой панели, совместить ключ цоколя с ключом панели и, слегка покачивая лампу, без усилия вставить ее в панель.

Характерными неисправностями полупроводниковых диодов являются пробой, обрыв, утечка, нарушение герметичности корпуса.

Для выявления неисправных диодов не нужны сложные приборы. Степень годности диода можно определить с помощью омметра, измеряя его прямое и обратное сопротивления. При пробое диода указанные сопротивления будут равны и составят несколько Ом, в случае обрыва — бесконечно велики. Исправные диоды имеют прямое сопротивление в пределах: германиевые точечные — 50...100 Ом; кремниевые точечные—150...500 Ом и плоскостные (германиевые и кремниевые) —20...50 Ом.

При измерении сопротивления диода, имеющего утечку, показание стрелки прибора медленно уменьшается. Достигнув определенной величины, стрелка прибора остановится. При повторении. и змерения процесс повторяется снова.

Диоды с такими дефектами следует заменить. При установке -д иодов взамен вышедших из строя необходимо их проверить и определить полярность.

Проверку годности транзисторов и измерение основных параметров можно производить с помощью специального испытателя параметров плоскостных транзисторов типа Л2-23. При помощи испытателя можно быстро определить коэффициент усиления по току а, обратный ток коллектора /к 0 (,наличие, пробоя между эмиттером и коллектором и др. Перечисленные параметры являются наиболее важными.

Они позволяют достаточно хорошо судить о возможностях использования транзистора в схемах приемников.

При отсутствии специального прибора исправность транзисторов можно определить, измеряя величины сопротивлений переходов транзистора с помощью омметра. При этом рекомендуется работать на наивысшем диапазоне измерений омметра, где протекающий ток минимальный.

При испытании транзисторов необходимо строго соблюдать полярность прикладываемых к их, электродам напряжений. Для транзисторов типа р — п — р в схеме с общим эмиттером потенциал коллектора и базы по отношению к эмиттеру должен быть отрицательным, а потенциал эмиттера— положительным. В случае применения в схемах с общим эмиттером транзисторов типа п — р — п потенциал коллектора и базы должен быть положительным, а потенциал эмиттера — отрицательным.

Приступая к измерению параметров транзистора, нужно прежде всего удостовериться, не пробиты ли эмиттерный и коллекторный переходы. Каждый из переходов проверяют по прямому и обратному току. Обратные сопротивления должны быть значительно больше прямых . Проверку сопротивления переходов производят с помощью омметра, как показано на рис. 66. Прямое сопротивление эмиттерного и коллекторного переходов должно быть от 10 до 1000 Ом. В случае значительно меньших или значительно больших показаний омметра транзисторы использовать не следует. При проверке обратных сопротивлений величина сопротивления эмиттерного перехода должна быть не менее 10 кОм, а коллекторного — не менее 100 кОм. Если обратные сопротивления окажутся значительно меньше, использовать транзисторы нежелательно, а при сопротивлении порядка 10... 100 Ом транзисторы совершенно непригодны.

При замене вышедшего из строя транзистора другим его характеристики, структура р —п —р или п —р —п и частотные параметры должны соответствовать заменяемому . Если выполняют замену транзистора в трактах УПЧ ЧМ и-УПЧ AM с нейтрализацией, то учитывают и проходную емкость его, которая должна быть такой же, как у заменяемого, или близкой к ней. Замена транзисторов в каскадах УВЧ и гетеродина блока УКВ транзисторами других типов не допускается.

В ходе замены транзисторов необходимо соблюдать меры предосторожности, так как при пайке выводы сильно нагреваются, что может привести к выходу его из строя. Время пайки должно быть минимальным, выводы транзисторов не короче 10 мм и на них нужно надевать поди-хлорвиниловые трубочки. Исключение относится к транзисторам типа КТ315, у которых выводы составляют 5 мм. В момент пайки выводы обхватывают плоскогубцами для отвода тепла. Изгибать выводы ближе чем на 5 мм от корпуса не допускается.

При работе в номинальных и максимальных режимах транзисторы нагреваются. Для отвода тепла используются радиаторы, изготовленные из меди,, алюминия или их сплавов—материалов, обладающих наибольшей теплопроводностью.. Радиатор должен иметь определенные размеры и хороший тепловой контакт с корпусом транзистора. Когда корпус транзистора нужно электрически изолировать от радиатора, применяют слюдяные прокладки толщиной 10... 40 мкм.